Преобразователь однофазного в трехфазное. Конвертер одной фазы в три. Инвертор. Схема. Конструкция. Своими руками. Собрать самому.

Схема преобразователя однофазного напряжения в трехфазное. (10+)

Преобразователь однофазного напряжения в трехфазное - Схема

Оглавление :: ПоискТехника безопасности :: Помощь

В этой схеме, как и в любой другой, могут быть ошибки. Если Вы их обнаружите, пожалуйста, напишите нам. Подпишитесь на новости, чтобы быть в курсе исправлений и обновлений материала.

Внимание! Сборка прибора требует навыков в области силовой электроники, связана с контактом с высоким напряжением, которое может быть опасным для жизни как самого инженера, так и пользователей прибора. Убедитесь, что Вы обладаете нужной квалификацией.

Схема выполнена на основе импульсного силового источника синусоидального напряжения. Советую ознакомиться с его схемой.

Вашему вниманию подборка материалов:

Практика проектирования электронных схем Искусство разработки устройств. Элементная база. Типовые схемы. Примеры готовых устройств. Подробные описания. Онлайн расчет. Возможность задать вопрос авторам

Эта схема не является трехфазным инвертором, но может быть использована для его разработки. Если вместо корректора коэффициента мощности на вход устройства установить преобразователь 12 или 24 вольта в 600 вольт, который можно получить на основе резонансного инвертора, перестроив его выходное напряжение с 310 на 600 вольт, то будет отличный трехфазный инвертор.

Принципиальная схема преобразователя однофазного напряжения в трехфазное.

Преобразователь однофазного в трехфазное. Конвертер одной фазы в три. Своими руками. Собрать самому

Преобразователь выдает трехфазное напряжение хорошей синусоидальной формы 370 В, 1.5 кВт (в сумме на все три фазы). Напряжение 370 В, а не 380, выбрано, исходя из того, что для получения 380 В нужно питать схему постоянным напряжением 620 В. Но силовые ключи и драйверы полумоста на 600 В гораздо более распространены. А снижение питающего напряжения на 3% для большинства приборов значения не имеет.

Схема использует три идентичных блока. Элементы на этих блоках имеют на схеме одинаковые обозначения. Схема рисовалась путем переделки схемы источника синусоидального напряжения. Перенумеровывать элементы у меня не хватило духу. Так что некоторые номера пропущены. Простите меня за это.

C13 - 1 мкФ, R25 - 5.5 кОм, C14 - 0.5 мкФ, R26 - 11 кОм, C15 - 0.25 мкФ, R27 - 22 кОм, C16 - 0.1 мкФ, R25 - 55 кОм.

ККМ - корректор коэффициента мощности. Его схема здесь не приводится. Об этом будет отдельная статья. Корректор коэффициента мощности обычно выполняется по схеме повышающего преобразователя. Так что его не составит труда выполнить на выходное постоянное напряжение 600 В. Оно-то нам и нужно для питания схемы.

М1 - маломощный мост для получения низковольтного напряжения для питания низковольтной схемы преобразователя.

Диоды VD4, VD5, VD6 - выпрямительные диоды на 600В, желательно быстродействующие, но подойдут и 100 нс. Мы используем 1N5406.

Диоды VD1, VD2 - импульсные низковольтные кремниевые диоды, например, детекторные.

Полевые транзисторы VT1, VT2 - полевые транзисторы от 600В, 3А. Подойдут, например, IRFBG 30, или другие.

Расчет радиатора для них.

D5 - операционный усилитель, рассчитанный на работу при однополярном питании 12В, с высоким входным сопротивлением и с возможностью подключения к выходу нагрузки 2 кОм или менее. Хорошо подходит К544УД1, КР544УД1.

D6 - интегральный стабилизатор напряжения (КРЕН) на 12В.

VT5 - Маломощный высоковольтный транзистор на 600 вольт. Он работает только в момент включения схемы. Так что в процессе работы мощность не рассеивает.

VD9 - Стабилитрон 15В.

C11 - 1000мкФ 25В.

R25 - 300кОм 0.5Вт

D1 - Интегральные широтно-импульсно модулирующие (ШИМ) контроллеры. Это 1156ЕУ3 или его импортный аналог UC3823.

Добавление от 27.02.2013 Иностранный производитель контроллеров Texas Instruments преподнес нам удивительно приятный сюрприз. Появились микросхемы UC3823A и UC3823B. У этих контроллеров функции выводов немного не такие, как у UC3823. В схемах для UC3823 они работать не будут. Вывод 11 теперь приобрел совсем другие функции. Чтобы в описанной схеме применить контроллеры с буквенными индексами A и B, нужно вдвое увеличить резисторы R22, исключить резисторы R17 и R18, подвесить (никуда не подключать) ножки 16 и 11 всех трех микросхем. Что касается российских аналогов, то нам читатели пишут, что в разных партиях микросхем разводка разная (что особенно приятно), хотя мы пока новой разводки не встречали.

D3 - Драйверы полумоста. IR2184

R7, R6 - Резисторы по 10кОм. C3, C4 - Конденсаторы по 100нФ.

R10, R11 - Резисторы по 20кОм. C5, C6 - Электролитические конденсаторы по 30 мкФ, 25 вольт.

R8 - 20кОм, R9 - подстроечный резистор 15кОм

R1, R2 - подстроечники по 10кОм

R3 - 10 кОм

C2, R5 - резистор и конденсатор, задающие частоту работы ШИМ - контроллеров. Их выбираем таким образом, чтобы частота была около 50 кГц. Подбор стоит начать с конденсатора 1 нФ и резистора 100 кОм.

R4 - Эти резисторы в разных плечах - разные. Дело в том, что для получения синусоидального напряжения со сдвигом фаз на 120 гр. используется фазосдвигающая цепь. Кроме сдвигания она еще и ослабляет сигнал. Каждое звено ослабляет сигнал в 2.7 раза. Так что подбираем резистор в нижнем плече в диапазоне от 10 кОм до 100 кОм так, чтобы ШИМ контролер при минимальном значении синусоидального напряжения (с выхода операционного усилителя) был закрыт, при небольшом его увеличении начинал выдавать короткие импульсы, при достижении максимума был практически открыт. Резистор среднего плеча будет в 9 раза больше, резистор верхнего - в 81 раз.

После подбора этих резисторов более точно коэффициент усиления можно регулировать подстроечными резисторами R1.

R17 - 300 кОм, R18 - 30 кОм

C8 - 100нФ. Это могут быть низковольтные конденсаторы. На них высокого напряжения не бывает, хотя они стоят в высоковольтной части.

R22 - 0.23 Ом. 5Вт.

VD11 - Диоды Шоттки. Выбраны диоды Шоттки, чтобы обеспечить минимальное падение напряжения на диоде в открытом состоянии.

R23, R24 - 20 Ом. 1Вт.

L1 - дроссель 10мГн (1E-02 Гн), на ток 5А, C12 - 1мкФ, 400 В.

Проектирование и расчет дросселей

L2 - несколько витков тонкого провода поверх дросселя L1. Если в дросселе L1 - X витков, то в катушке L2 должно быть [X] / [60]

(читать дальше...) :: (в начало статьи)

Оглавление :: ПоискТехника безопасности :: Помощь

 

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!
Задать вопрос. Обсуждение статьи. [3] сообщений.

Здравствуйте! Можно ли в преобразователе использовать биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)? С уважением, Влад. Читать ответ...

Данная схема вполне может быть переделана на другую выходную частоту? на 400Гц например? И если да, то необходимо настроить задающий генератор и всё? И подскажите как рассчитывались номиналы L1, C12 Читать ответ...

Еще статьи

Инвертор, преобразователь, чистая синусоида, синус...
Как получить чистую синусоиду 220 вольт от автомобильного аккумулятора, чтобы за...

Зарядное устройство. Импульсный автомобильный зарядник. Зарядка аккуму...
Схема импульсного зарядного устройства. Расчет на разные напряжения и токи....

Магнитный усилитель - схема, принцип действия, особенности работы, уст...
Как устроен и работает магнитный усилитель. Схема. ...

Светомузыка, светомузыкальная приставка своими руками. Схема, конструк...
Как самому собрать свето-музыку. Оригинальная конструкция свето-музыкальной сист...

Транзисторный силовой ключ. Биполярный транзистор. Ключевой режим. Рас...
Биполярный транзистор в ключевом режиме. Схема. Расчет....

Резонансный стабилизатор переменного напряжения, токовые клещи постоян...
Два примера применения магнитного усилителя - токовые клещи и стабилизатор напря...

Микросхема 1156ЕУ2, К1156ЕУ2, КР1156ЕУ2, UC1825, UC2825, UC3825. Анало...
Описание микросхемы 1156ЕУ2 (UC1825, UC2825, UC3825)...

Формирование произвольного / регулируемого выходного напряжения с помо...
Регулировка, установка выходного напряжения специализированной микросхемы интегр...