Частота работы контроллера Частота работы контроллера D1, кГц Сопротивление резистора R3, кОм Максимальный коэффициент заполнения Входные / выходные параметры преобразователя Максимальное входное напряжение, В Минимальное входное напряжение, В Выходное напряжение, В Максимальная сила тока нагрузки, А Желаемая макс. амплитуда пульсации тока через L1 (`0` для режима прерывного тока), А Допустимая амплитуда пульсации выходного напряжения, В Силовые диоды и транзисторы, цепь управления Напряжение насыщения диода VD2, В Время рассасывания диода VD2, нс Напряжение насыщения диода моста M1, В Время рассасывания диода моста M1, нс Сопротивление канала VT9, VT10, VT11, VT12 в открытом состоянии, мОм Время отпирания VT9, VT10, VT11, VT12, нс Время запирания VT9, VT10, VT11, VT12, нс Выходные конденсаторы C8, C9 Граничная частота конденсатора C8, кГц Граничная частота конденсатора C9, кГц Для расчета дросселя L1 Ширина зуба сердечника L1, мм Толщина сердечника L1, мм Высота окна сердечника L1, мм Ширина окна сердечника L1, мм Максимальная допустимая индукция в дросселе L1 для железа < 1 Тл, для ферритов и частоты до 100 кГц < 0.3 Тл, для частоты до 1 МГц < 0.1 Тл, для больших частот < 0.05 Тл, Тл Прочие параметры Напряжение срабатывания защиты по току микросхемы D1, В Опорное напряжение, В Напряжение насыщения диода VD7, В Размах напряжения для сравнения, В Трансформатор Максимально приемлемая индукция, Тл Сечение магнитопровода, кв. мм Площадь окна магнитопровода, кв. мм Результаты расчета Емкость конденсатора C4, мкФ 0.001
Максимальный коэффициент заполнения 0.8
Дроссель L1 Максимальная средняя сила тока через дроссель L1, А 0.6
Максимальная амплитуда пульсации тока через дроссель L1, А 0.6
Индуктивность дросселя L1, мГн 0.27777777777778
Количество витков L1 17
Зазор в сердечнике L1, мм 0.128214
Число проводов в жгуте обмотки L1 3
Диаметр одного провода в жгуте обмотки L1, мм 0.25
Выходные конденсаторы Емкость конденсатора C8, мкФ 0.83333333333333
Емкость конденсатора C9, мкФ 5.705099598361
Силовой ключ Максимальное напряжение коллектор - эмиттер VT2, VT9, В 300
Пиковый ток коллектора (стока) VT2, VT9, А 1.2
Мощность, рассеиваемая VT2, VT9, Вт 1.3503333333333
Защита по току - вариант без трансформатора Сопротивление резистора R7, Ом 0.83333333333333
Мощность резистора R7, Вт 1.2
Трансформатор тока Количество витков обмотки L3 120
Силовые диоды Обратное напряжение диода VD2, В 250
Максимальная средняя сила тока через диод VD2, А 0.1
Мощность диода VD2, Вт 0.06
Обратное напряжение диода моста M1, В 125
Максимальная средняя сила тока через диод моста M1, А 0.2
Мощность диода моста M1, Вт 0.12
Цепь обратной связи по напряжению Сопротивление резистора R9, кОм 496
Сопротивление резистора R11, кОм 25.5
Емкость конденсатора C2, мкФ 0.008183399553889
Сопротивление резистора R2, кОм 1.4540902614606
Емкость конденсатора C3, мкФ 0.14654271206691
Сопротивление резистора R10, кОм 222.39124827786
Емкость конденсатора C7, мкФ 7.1601589551247E-5
Трансформатор Количество витков первичной обмотки L4 134
Число проводов в жгуте первичной обмотки L4 2
Диаметр провода первичной обмотки L4, мм 0.25
Количество витков вторичной обмотки L5 112
Число проводов в жгуте вторичной обмотки 2
Диаметр провода вторичной обмотки, мм 0.25
Емкость последовательного конденсатора, мкФ 0.44444444444444