Высоковольтный полевой транзистор irfp450. МОП, MOSFET. Свойства, параметры, применение, данные, datasheet. irfp 450

Применение и параметры IRFP450, высоковольтного полевого транзистора (10+)

Высоковольтный полевой транзистор irfp450

Оглавление :: ПоискТехника безопасности :: Помощь

Постоянно проектируя и собирая силовые электронные схемы, я остановил свой выбор на этом транзисторе. Причин тому несколько. Во-первых, это мощный полевой транзистор, рассчитанный на ток 14 А, напряжение 500 вольт. Конечно, в высоковольтных схемах такой ток нужен не всегда, но стоимость транзисторов, рассчитанных на меньшие токи, меньше не намного. А я купил сразу кучу этих транзисторов оптом прямо в интернет-магазине производителя и получил их по почте. Если бы я устраивал зоопарк из разных полевых транзисторов, то покупал бы в розницу, получилось бы намного дороже. Запас по току тоже не повредит. Во-вторых, у этого транзистора низкое сопротивление в открытом состоянии. Это снижает потери даже при небольшом токе. В-третьих, я к нему привык, чувствую его печенкой.

Параметры, характеристики irfp450

Приведу здесь его основные параметры, которые будут полезны для расчетов. По ссылке расположен расчет силовых ключей на полевых транзисторах. Я планирую постепенно публиковать схемы своих устройств на этих irfp450, подпишитесь на новости, чтобы быть в курсе. Параметры взяты в основном из документации производителя (datasheet). Кое-что из моего собственного опыта и измерений.

Максимально допустимое напряжение: 500 В.

Максимально допустимый средний ток (при условии выполнения требований по мощности) при температуре корпуса 25 грЦ: 14 А.

Максимально допустимый средний ток (при условии выполнения требований по мощности) при температуре корпуса 100 грЦ: 9 А.

Какая будет температура у корпуса в реальных условиях, предсказать тяжело. Я советую использовать этот прибор на ток до 10 - 11 А. Эти транзисторы легко можно соединять параллельно, если нужны большие токи.

Максимальный импульсный ток: 56 А. Конечно, вероятно, МОП транзистор irfp 450 может выдержать этот ток одноразово, в течение очень короткого времени. Но по моей практике пиковая сила тока через этот MOSFET не должна превышать 30 - 35 А. Иначе устройство будет работать ненадежно.

Максимальная рассеиваемая мощност:ь 190 Вт. Я на самом деле сделал устройство, где этот транзистор рассеивал близкую мощность. Применялось жидкостное охлаждение. irfp50 отлично работает в нем и по сей день.

Максимальная энергия, которая может рассеиваться прибором периодически: 19 мДж.

Максимальное напряжение на затворе: +- 20 В.

Управляющее напряжение: от 10 до 15 В. Вообще использование более высокого управляющего напряжения снижает потери и нагрев, но нельзя допускать превышения максимального напряжения на затворе с учетом некоторых его бросков в результате переходных процессов. Отсюда и выбран интервал.

Сопротивление в открытом состоянии при управляющем напряжении 10 В, токе стока 8.4 А: 0.4 Ом. Если управляющее напряжение будет больше, то сопротивление будет немного меньше. При росте тока сопротивление тоже немного снижается. Но для оценки потерь на проводимость имеет смысл использовать именно это значение, тогда Вы получите расчетное значение немного выше реального, что неплохо.

Емкость затвор - исток: 2.6 нФ.

Емкость затвор - сток: 0.2 нФ.

Емкость исток - сток: 0.72 нФ.

Особенности применения irfp450

Этот транзистор ни в коем случае нельзя подключать к высокому напряжению при подвешенном затворе. Это может привести к пробою.

Устройства с использованием irfp450

Лабораторный импульсный блок питания. Зарядное устройство

Сверхмощный импульсный усилитель звука

(читать дальше...) :: (в начало статьи)

Оглавление :: ПоискТехника безопасности :: Помощь

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!
Задать вопрос. Обсуждение статьи.