Генератор сигнала с переменной скважностью импульсов. Регулировка коэффициента заполнения. Ограничение максимального значения. Изменение длительности импульсов

Схема генератора и регулируемым коэффициентом заполнения импульсов, управляемого входным напряжением. Источник импульсного сигнала изменяемой скважности. Ограничение длительности импульсов (10+)

Коэффициент заполнения импульсного сигнала. Скважность - Генератор

Оглавление :: ПоискТехника безопасности :: Помощь

Регулировка скважности

Для получения сигнала с управляемой скважностью удобно использовать ШИМ - контроллеры. Эти специализированные микросхемы как раз спроектированы, чтобы формировать сигналы со коэффициентом заполнения, зависящим от внешних условий.

Для примера рассмотрим схемы на интегральном ШИМ - контроллере 1156ЕУ3 или UC3823.

На схеме (A1) изображен генератор импульсов со скважностью, зависящей от уровня входного напряжения, подаваемого на ножку 2. Увеличение входного напряжения приводит к увеличению коэффициента заполнения, то есть уменьшению скважности.

Генератор по схеме (A2) наоборот формирует импульсы с большим коэффициентом заполнения (меньшей скважностью) при уменьшении входного напряжения.

Скважность импульсов генератора (A3) регулируется вручную с помощью подстроечного резистора R5.

Во всех схемах используются одинаковые детали. Выходной сигнал формируется на ножке 14. Подключать к этой ножке можно нагрузку до 2 А (импульсно). Питание осуществляется от источника от 12 до 30 вольт.

Микросхема D1 - ШИМ - контроллер 1156ЕУ3 / UC3823.

Резистор R1 - 10 кОм, подстроечный. С помощью него регулируется начальный уровень сигнала, при котором появятся импульсы минимальной длительности.

Резистор R2 - 100 кОм

Резистор R3 - 500 кОм, подстроечный. Он регулирует чувствительность, то есть увеличение этого резистора приводит к тому, что сигнал заданной амплитуды приводит к большему изменению коэффициента наполнения.

Резистор R4, Конденсатор C1 - задают частоту выходного сигнала. Формула для расчета частоты в зависимости о параметров этих деталей.

Резистор R5 - 100 кОм, подстроечный. Он регулирует максимально возможный коэффициент наполнения, а в схеме (A3), просто коэффициент заполнения.

Конденсатор C1 - 0.1 мкФ.

Готовое устройство, иллюстрирующее управление скважностью - Тренажер для снятия усталости глаз и спазма аккомодации.

Ограничение максимального коэффициента заполнения

Во многих случаях полезно ограничить максимальный коэффициент заполнения. Бывает нужно обеспечить, чтобы вне зависимости от управляющего сигнала коэффициент заполнения не превышал некоторую заданную величину. Это бывает необходимо, например, в повышающей, инвертирующей, обратноходовой, прямоходовой или пуш-пульной топологиях источников питания для того, чтобы магнитопровод дросселя или трансформатора между импульсами успел гарантированно размагнититься.

В схеме удалены все выводы и соединения, не имеющие отношения к нашей задаче ограничения скважности. Для примера выбрана микросхема 1156ЕУ3 или UC3823. Без изменений описанный подход может применяться для микросхемы 1156ЕУ2 или UC3825. Для других микросхем ШИМ может понадобиться подобрать номиналы деталей и учесть цоколевку этих микросхем.

Принцип работы схемы следующий. Ножка 8 отвечает за мягкий старт. На нее внутри микросхемы подается ток 1 мкА. Этот ток заряжает внешний конденсатор. По мере роста напряжения на конденсаторе увеличивается максимально возможный коэффициент заполнения. Так обеспечивается постепенное увеличение ширины импульсов при запуске. Оно необходимо, так как при включении выходной конденсатор разряжен, и, если полагаться на обратную связь, то длительность импульсов будет максимальной, пока этот конденсатор не зарядится до рабочего напряжения. Это нежелательно, так как приводит к перегрузке при включении устройства.

Подстроечный резистор и диод ограничивают максимально возможное напряжение, до которого может зарядиться конденсатор, а значит и максимально возможный коэффициент заполнения. При этом функция мягкого старта полностью сохраняется. Ширина импульсов по мере зарядки конденсатора постепенно нарастает от нуля до установленного значения. Далее рост коэффициента заполнения прекращается.

Диод - любой маломощный, например, КД510

Подстроечный резистор - 100 кОм

(читать дальше...) :: (в начало статьи)

Оглавление :: ПоискТехника безопасности :: Помощь

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!
Задать вопрос. Обсуждение статьи.